MUEGGE 产品

等离子组件

等离子组件
  • 等离子阵列(大面积)

    货号: MA4000Y-123BC

    流程
    蚀刻和沉积(涂层)
    输出连接方式
    等离子区 320 mm x 320 mm
     介电材料
    陶瓷
    供电电压[V]
    输出功率 [W]
    2000
    Frequency [MHz]
    2450
    气体歧管
    波导尺寸
    同轴
    电抗器输出量
    -

    Flächenplasmaquelle

  • 等离子阵列(大面积)

    货号: MA4000Y-153BC

    流程
    蚀刻和沉积(涂层)
    输出连接方式
    等离子区 320 mm x 320 mm
     介电材料
    陶瓷
    输出功率 [W]
    2000
    Frequency [MHz]
    2450
    气体歧管

    Flächenplasmaquelle

  • 等离子阵列(大面积)

    货号: MA6000Y-013BC

    流程
    蚀刻和沉积(涂层)
    输出连接方式
    等离子区 700 mm x 226 mm
     介电材料
    陶瓷
    输出功率 [W]
    2x 3000
    Frequency [MHz]
    2450
    气体歧管

    Flächenplasmaquelle

  • 等离子阵列(大面积)

    货号: MA6000Y-023BC

    流程
    蚀刻和沉积(涂层)
    输出连接方式
    等离子区 797,5 mm x 150 mm
     介电材料
    陶瓷
    输出功率 [W]
    2x 3000
    Frequency [MHz]
    2450
    气体歧管

    Flächenplasmaquelle

  • 等离子阵列(大面积)

    货号: MA6000Y-033BC

    流程
    蚀刻和沉积(涂层)
    输出连接方式
    等离子区 520 mm x 340 mm
     介电材料
    陶瓷
    供电电压[V]
    输出功率 [W]
    2x 3000
    Frequency [MHz]
    2450
    气体歧管
    波导尺寸
    同轴
    电抗器输出量
    ø20 mm x 1,5 mm x 564 mm

    Flächenplasmaquelle

  • 自由基等离子源(远程等离子源)

    货号: MA1250C-003BC

    流程
    蚀刻和沉积(涂层)
    输出连接方式
    ISO-K63
     介电材料
    陶瓷
    供电电压[V]
    230 / 208
    输出功率 [W]
    1250
    Frequency [MHz]
    2450
    气体歧管
    电抗器输出量
    -

    Radikalquelle (Remote-Plasma-Quelle)

  • 自由基等离子源(远程等离子源)

    货号: MA2000C-083BB

    流程
    蚀刻和沉积(涂层)
    输出连接方式
    KF40
     介电材料
    陶瓷
    供电电压[V]
    230 / 208
    输出功率 [W]
    2000
    Frequency [MHz]
    2450

    Radikalquelle (Remote-Plasma-Quelle)

  • 自由基等离子源(远程等离子源)

    货号: MA2000C-123BB

    流程
    蚀刻和沉积(涂层)
    输出连接方式
    KF40
     介电材料
    陶瓷
    供电电压[V]
    230 / 208
    输出功率 [W]
    2000
    Frequency [MHz]
    2450

    Radikalquelle (Remote-Plasma-Quelle)

等离子体组件

半导体技术改变了我们对世界的看法–但等离子体加工使每个人生产产品成为可能。高密度微波辅助等离子体源在蚀刻和沉积系统中表现出卓越的性能,这些系统需要高蚀刻率,而不会对材料造成电荷或损坏

作为等离子体组件制造商,我们的领先地位有助于您开发和调整您的系统–同时确保快速进入市场和低COO。作为我们 “交钥匙 “产品范围的一部分,我们为各种不同的生产工具和应用提供等离子组件:

  • 氧化物和氮化物层的高密度沉积
  • 大面积沉积和蚀刻
  • SU-8距离
  • 高度选择性地去除有机物质
  • 用于清洗对氧气敏感的材料的非氧化性化学方法(H2工艺)
  • 敏感表面(如传感器)和3D结构的无损清洗
  • 各向同性室清洁
  • LIGA工艺(光刻、电镀和成型)