유전체 증착 후 챔버 세척 – 등방성 마이크로웨이브 플라즈마의 경우
증착은 반도체 생산의 기둥 중 하나이므로 제어되고 반복 가능하며 깨끗한 환경에 의존합니다. 증착 공정의 한 가지 문제는 증착이 기판뿐만 아니라 챔버 벽에서도 발생한다는 것입니다. 이것은 입자와 오염의 영구적 인 위협입니다. 따라서 공정 챔버의 완전하고 반복 가능한 세척은 중요한 치수가 까다로운 물리적 한계를 유지하기 때문에 레이어 품질의 핵심입니다.
마이크로웨이브 플라즈마는 챔버 벽에서 두꺼운 코팅을 제거하기 위한 완벽한 솔루션입니다. RF 플라즈마에 비해 마이크로웨이브 (MW) 플라즈마의 이점은 차이를 만듭니다. MW의 고유한 특성으로 인해 플라즈마 소스에 직접 노출되지 않아도 챔버 벽을 세척할 수 있습니다.
마이크로웨이브 플라즈마 – 등방성 및 빠른 세척
챔버 세척과 관련하여 RF 플라즈마는 이방성 특성으로 인해 이상적이지 않습니다. 이온 충격은 RF 플라즈마에 내재되어 있으므로 세척할 부품을 직접 노출해야 했습니다. 실제로 챔버 벽의 일부는 플라즈마 소스에 숨겨져 불완전한 세척 및 후속 박리, 입자 및 낮은 수율을 유발합니다. MW 보조 플라즈마 세척이 이 문제의 해결책입니다. 생성 된 라디칼은 RF 소스에 보이지 않는 챔버의 숨겨진 보호 영역에 도달합니다.
Muegge 원격 마이크로웨이브 플라즈마는 이러한 문제를 해결합니다.
- 어플리케이터에서 생성 된 라디칼은 챔버에 도달하여 소스에 직접 노출되지 않더라도 세척을 수행합니다. 더 이상 불완전한 세척이 필요 없으며 라디칼이 챔버의 모든 구석에 도달합니다.
- 노출 된 영역의 세척은 박막증착이 측벽을 변경하거나 손상시킬 수 있는 RF 플라즈마와 달리 추가 공격으로부터 안전합니다.
- 세척의 화학적 특성으로 인해 과다 에칭을 수행하는 것이 안전합니다. 이온 충격은 챔버의 깨끗한 부품과 민감한 장비 (예 : e-chuck)를 손상하지 않습니다.
- 챔버 세척을 위한 Muegge의 솔루션은 지속 가능하고 에너지 효율적입니다. 모든 에너지는 극도로 낮은 열 부하로 라디칼 형성으로 전달됩니다.
넓은 공정 범위
Muegge 원격 플라즈마 세척은 부식성 화학 물질을 필요로 하지 않는 모든 재료에 사용할 수 있습니다. 예를 들면:
- 이산화 규소
- 실리콘 질화물
- 저유전상수물질
- 유기물
MW 지원 플라즈마 공정의 장점
“반도체 제조에는 반복 가능한 공정 조건과 깨끗한 공정 챔버가 필요합니다. 마이크로웨이브 플라즈마를 사용하면 챔버의 민감한 부품 (예 : 정전 척)을 부식시키지 않고 빠르게 세척할 수 있습니다.
챔버 표면의 변경없이 고속 (> 200um / h) 및 높은 선택성으로 유전체 및 유기층을 완전히 제거 할 수 있는 기능을 제공합니다. 생성 된 라디칼은 표면에서 화학 반응을 일으켜 극도로 낮은 열 부하로 빠른 속도로 순수한 화학적 에칭을 유도합니다.
MW 지원 플라즈마는 CF4와 같은 공정 가스의 거의 완전한 해리로 인해 환경 친화적입니다. “
