微波及腔室清洁

电介质沉积后的腔室清洁-各向同性微波等离子体应用案例

沉积是半导体生产的支柱之一,它取决于受控、可重复和清洁的环境。 沉积工艺的一个挑战是,沉积不但发生在基板上,而且发生在腔壁上。 微粒和脏污是一个持久的威胁。 因此,当临界尺寸在不断挑战物理极限时,对工艺腔室进行反复、彻底的清洁是确保沉积层质量的关键。

微波等离子体是从腔壁上去除这种厚沉积层的理想解决方案。 相比RF等离子体,微波(MW)等离子体的优势很不同:即使不直接暴露于等离子源,也可清洁腔壁,因为微波的独特性质。

微波等离子体——各向同性,快速清洁

进行腔室清洁时,其各向异性的RF等离子体并不理想。 离子轰击是RF等离子所固有的,因此,需清洁之物要直接暴露于离子源。 实际上,腔壁对离子源隐藏的部位会导致清洁不彻底、随后产生剥落、微粒和产能降低。 MW辅助等离子体清洁恰恰可以解决这一问题。自由基可到达腔室的隐藏和遮蔽部位,而RF离子源达不到这些部位。

Muegge远程微波等离子体解决这些问题

进行腔室清洁时,其各向异性的RF等离子体并不理想。 离子轰击是RF等离子所固有的,因此,需清洁之物要直接暴露于离子源。 实际上,腔壁对离子源隐藏的部位会导致清洁不彻底、随后产生剥落、微粒和产能降低。 MW辅助等离子体清洁恰恰可以解决这一问题。自由基可到达腔室的隐藏和遮蔽部位,而RF离子源达不到这些部位。

适用于广泛工艺

Muegge远程等离子清洁,适用于所有不用腐蚀性化学物的材料,如:

MW辅助等离子体工艺的优势

半导体制造需要可重复的工艺条件和洁净的工艺腔体。微波等离子体可快速清洁,而不会腐蚀腔室内的敏感组件(如静电吸盘)。

它在不改变腔室表面的前提下,以高速(> 200um / h)和高选择性完全去除电介质和有机层。自由基在表面发生化学反应,从而以极低的热负荷、高速进行纯化学蚀刻。

由于工艺气体(如CF4)几乎完全分解,MW辅助等离子体非常符合环保要求。

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