Muegge Produits

Saphir

Saphir
  • Source plasma à radicaux (Remote plasma Source)

    Numéro de poste: MA2000C-143BB

    Processus
    Gravure et Dépôt (Revêtement)
    Type de connexion de sortie
    ISO-K 63
    Matériau Diélectrique
    Saphir
    Tension d\'alimentation Nominal [V]
    230 / 208
    Puissance de sortie [W]
    2000
    Fréquence [MHz]
    2450

    Radikalquelle (Remote-Plasma-Quelle)

  • Source plasma à radicaux (Remote plasma Source)

    Numéro de poste: MA2000C-823BB

    Processus
    Gravure et Dépôt (Revêtement)
    Type de connexion de sortie
    KF 40
    Matériau Diélectrique
    Saphir
    Tension d\'alimentation Nominal [V]
    230 / 208
    Puissance de sortie [W]
    2000
    Fréquence [MHz]
    2450

    Radikalquelle (Remote-Plasma-Quelle)

  • Source plasma à radicaux (Remote plasma Source)

    Numéro de poste: MA2000C-833BB

    Processus
    Gravure et Dépôt (Revêtement)
    Type de connexion de sortie
    ISO-K 63
    Matériau Diélectrique
    Saphir
    Tension d\'alimentation Nominal [V]
    230 / 208
    Puissance de sortie [W]
    3000
    Fréquence [MHz]
    2450

    Radikalquelle (Remote-Plasma-Quelle)

  • Source plasma à radicaux (Remote plasma Source)

    Numéro de poste: MA2000C-863BB

    Processus
    Gravure et Dépôt (Revêtement)
    Type de connexion de sortie
    KF 40
    Matériau Diélectrique
    Saphir
    Tension d\'alimentation Nominal [V]
    230 / 208
    Puissance de sortie [W]
    2000
    Fréquence [MHz]
    2450

    Radikalquelle (Remote-Plasma-Quelle)

  • Source plasma à radicaux (Remote plasma Source)

    Numéro de poste: MA2000C-873BB

    Processus
    Gravure et Dépôt (Revêtement)
    Type de connexion de sortie
    ISO-K 63
    Matériau Diélectrique
    Saphir
    Tension d\'alimentation Nominal [V]
    230 / 208
    Puissance de sortie [W]
    2000
    Fréquence [MHz]
    2450

    Radikalquelle (Remote-Plasma-Quelle)

  • Source plasma à radicaux (Remote plasma Source)

    Numéro de poste: MA2000C-913BB

    Processus
    Gravure et Dépôt (Revêtement)
    Type de connexion de sortie
    ISO-K 63
    Matériau Diélectrique
    Saphir
    Tension d\'alimentation Nominal [V]
    230 / 208
    Puissance de sortie [W]
    2000
    Fréquence [MHz]
    2450

    Radikalquelle (Remote-Plasma-Quelle)

  • Source plasma à radicaux (Remote plasma Source)

    Numéro de poste: MA3000C-403BB

    Processus
    Gravure et Dépôt (Revêtement)
    Type de connexion de sortie
    KF 40
    Matériau Diélectrique
    Saphir
    Tension d\'alimentation Nominal [V]
    230 / 208
    Puissance de sortie [W]
    3000
    Fréquence [MHz]
    2450

    Radikalquelle (Remote-Plasma-Quelle)

  • Source plasma à radicaux (Remote plasma Source)

    Numéro de poste: MA3000C-593BB

    Processus
    Gravure et Dépôt (Revêtement)
    Type de connexion de sortie
    KF 40
    Matériau Diélectrique
    Saphir
    Tension d\'alimentation Nominal [V]
    230 / 208
    Puissance de sortie [W]
    3000
    Fréquence [MHz]
    2450

    Radikalquelle (Remote-Plasma-Quelle)