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Source plasma à radicaux (Remote plasma Source)

Source plasma à radicaux (Remote plasma Source)
  • Source plasma à radicaux (Remote plasma Source)

    Numéro de poste: MA1250C-003BC

    Processus
    Gravure et Dépôt (Revêtement)
    Type de connexion de sortie
    ISO-K 63
    Matériau Diélectrique
    Céramique
    Tension d\'alimentation Nominal [V]
    230 / 208
    Puissance de sortie [W]
    1250
    Fréquence [MHz]
    2450

    Radikalquelle (Remote-Plasma-Quelle)

  • Source plasma à radicaux (Remote plasma Source)

    Numéro de poste: MA2000C-083BB

    Processus
    Gravure et Dépôt (Revêtement)
    Type de connexion de sortie
    KF 40
    Matériau Diélectrique
    Céramique
    Tension d\'alimentation Nominal [V]
    230 / 208
    Puissance de sortie [W]
    2000
    Fréquence [MHz]
    2450

    Radikalquelle (Remote-Plasma-Quelle)

  • Source plasma à radicaux (Remote plasma Source)

    Numéro de poste: MA2000C-123BB

    Processus
    Gravure et Dépôt (Revêtement)
    Type de connexion de sortie
    KF 40
    Matériau Diélectrique
    Céramique
    Tension d\'alimentation Nominal [V]
    230 / 208
    Puissance de sortie [W]
    2000
    Fréquence [MHz]
    2450

    Radikalquelle (Remote-Plasma-Quelle)

  • Source plasma à radicaux (Remote plasma Source)

    Numéro de poste: MA2000C-133BB

    Processus
    Gravure et Dépôt (Revêtement)
    Type de connexion de sortie
    ISO-K 63
    Matériau Diélectrique
    Céramique
    Tension d\'alimentation Nominal [V]
    230 / 208
    Puissance de sortie [W]
    2000
    Fréquence [MHz]
    2450

    Radikalquelle (Remote-Plasma-Quelle)

  • Source plasma à radicaux (Remote plasma Source)

    Numéro de poste: MA2000C-143BB

    Processus
    Gravure et Dépôt (Revêtement)
    Type de connexion de sortie
    ISO-K 63
    Matériau Diélectrique
    Saphir
    Tension d\'alimentation Nominal [V]
    230 / 208
    Puissance de sortie [W]
    2000
    Fréquence [MHz]
    2450

    Radikalquelle (Remote-Plasma-Quelle)

  • Source plasma à radicaux (Remote plasma Source)

    Numéro de poste: MA2000C-223BB

    Processus
    Gravure et Dépôt (Revêtement)
    Type de connexion de sortie
    KF 40
    Matériau Diélectrique
    Céramique
    Tension d\'alimentation Nominal [V]
    230 / 208
    Puissance de sortie [W]
    2000
    Fréquence [MHz]
    2450

    Radikalquelle (Remote-Plasma-Quelle)

  • Source plasma à radicaux (Remote plasma Source)

    Numéro de poste: MA2000C-233BB

    Processus
    Gravure et Dépôt (Revêtement)
    Type de connexion de sortie
    ISO-K 63
    Matériau Diélectrique
    Céramique
    Tension d\'alimentation Nominal [V]
    230 / 208
    Puissance de sortie [W]
    2000
    Fréquence [MHz]
    2450

    Radikalquelle (Remote-Plasma-Quelle)

  • Source plasma à radicaux (Remote plasma Source)

    Numéro de poste: MA2000C-703BB

    Processus
    Gravure et Dépôt (Revêtement)
    Type de connexion de sortie
    KF 40
    Matériau Diélectrique
    Céramique
    Tension d\'alimentation Nominal [V]
    230 / 208
    Puissance de sortie [W]
    2000
    Fréquence [MHz]
    2450

    Radikalquelle (Remote-Plasma-Quelle)